高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展
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作者: 陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,蔡端俊,李书平,康俊勇
单位: 厦门大学福建省半导体材料及应用重点实验室物理系
发布时间: 2013-04-20 00:00:00
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