离子束外延生长半导体性锰硅化合物
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作者: 杨君玲,陈诺夫,刘志凯,杨少延,柴春林,廖梅勇,何宏家
单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室、中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验
发布时间: 2001-11-08 00:00:00
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